TOPswitch JX (For 較大瓦特數>20W)
特色介紹:
OVP內建：- 一個ZENER DIODE + 一個串聯電阻(由輔助線圈偵測，須注意輕重載差異).
- 或由二次測輸出經由OPTO COUPLE回授至一次側做保護.
Line OVP and Output OVP：
- 利用V pin或M pin偵測輸入電流大小做保護.
- V pin或M pin電流大於112uA 超過100us ，進入Auto Restart/Recovery
- V pin或M pin電流大於336uA 超過100us ，進入Latch Mode(X pin流出電流超過27 mA 或是V pin 降到Power up Reset 電壓3V，保護才會重置Reset)
輸出有較小的低頻漣波：
- 內建Line feed forward 作前饋補償.
- Bulk cap電壓下降時，Duty Limit會有兩段式變化(200V以下，Duty Limit會放大)
極小的過載保護功率損耗(Auto Restart/Recovery)：
- 2% Deliver power (ON:40ms; OFF:1.9s).
I square f：
- 精準的能量參數規格，可降低Overload tolerance (降低Stress).
- 準確的誤差(+20% to -10%): Core約可降低5%；Mosfet可降低3%成本.
兩段式頻率設定：
- 66kHz: F pin接 C pin.
- 132kHz: F pin接地.
OPP外部可調：
- X pin對地電阻可決定OPP.
平均效率極佳：
- Multi-mode control.
- 降頻提升中載及輕載效率，No Load進入Multi Cycle Modulation
- E : eSIP-7C.
- V : eDIP-12.
- K : eSOP-12.
多功能腳位：
- Drain : MOSFET Drain Pin.
- Drain : 高壓啟動(高壓通過變壓器由DRAIN對CONTROL Pin電容充電，充電電壓到達5.8V，開始Switching動作，接著進入回授控制).
- Control : 回授Feedback
- Control : 控制器Vcc
- Source : MOSFET Source Pin.
- Source : Ground Reference
- Source : 散熱Pin (較大的Layout面積，可幫助散熱)
傳統Drain散熱，EMI較差：
- 傳統散熱運用Drain Pin外加散熱片方式散熱，容易因Drain Pin 的deltaV/deltaT大，對散熱片產生偶和，造成較差的EMI特性.
較大的崩潰電壓BVDSS：
- MOSFET Rating 從HX的700V提升至725 V.
Thermal：
- Junction Temp. 142 degree C (shutdown; typical) to 75 degree C(hysteresis).
- Body Temp: 130 degree C.
內建Soft Start：
- 17ms.
- 30k → frequency Set (5個Stage)
最佳化EMI，內建Frequency Jitter：
- ±5 kHz @ 132 kHz
- ±2.5 kHz @ 66 kHz