innoswitch3 Forward Pin note
Posted by Romeo on June. 25, 2025

innoSwitch FORWARD Switch Node (FWD)

    FORWARD 接腳電阻和濾波電容（RFWD、CFWD）
FORWARD 接腳 (FWD) 用於感測 SR FET 的漏極(Drain)電壓，對於精確的開啟和關閉控制極為重要。
當輸出電壓低於 BPS 電壓時，此引腳也用於對 BPS 腳電容器充電供電。

    FORWARD 接腳應透過電阻 RFWD 連接到同步整流 MOSFET (SR MOSFET) 的 Drain 端。
  1.  針對 innoSwitch3 建議使用 47 至 100 Ω 電阻器，以確保足夠的次級電源電流供電，並適用於較寬的輸出電壓範圍。針對 innoSwitch4 ，則建議使用 300 Ω 的電阻(AF-131)搭配並聯二極體，確保供電無虞。

不建議使用較低的電阻值，因為它會影響裝置操作和同步整流時序。

  2.  應注意確保 FORWARD 腳上的電壓永遠不會超過其絕對最大電壓 150 V。(設計時建議 PI Designer 顯示低於 120V)
    FORWARD 腳監控 SR FET 的 Drain 電壓，FORWARD 腳的峰值電壓也是 SR FET 在關閉期間的Drain電壓，包括電壓尖峰。
如果使用的 SR FET 的額定電壓高於 150 V，而且 SR FET Drain to Source 兩端的尖峰電壓也超過 FWD 接腳最大額定電壓 150V，那麼會建議使用濾波器來保護 FWD 引腳 (CFWD)。
    可以放置一個足夠大的陶瓷電容器與 FWD 引腳和次級 GND 並聯，這樣可以過濾 SR FET 漏極-源極電壓的前緣尖峰。
    100 pF 至 330 pF、1206、250 V、X7R 陶瓷電容器，可以滿足大多數應用，也不建議使用更大的電容值，因為它同樣會影響裝置操作和同步整流時序。
    針對 innoSwitch3，最大建議不超過 330 pF 的電容，innoSwitch4，建議最大不超過 220 pF 的電容。
    另外寄生參數（例如次級漏抗）的存在會導致 SR FET 漏極引腳上出現諧振擺盪。此諧振擺盪會干擾 IC 的運作。此 CFWD 電容對諧振也能有一定程度的改善

  3.  Datasheet中有顯示 FORWARD 波形 以及可 驗收標準。
另外，如果發現振鈴導致 SR FET 提前關閉，可以將 FWD 引腳電阻增加至 150 Ω (最大不超過 150 Ω 的電阻(AN-106Q))。
近一步抑制振鈴的發生。







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